Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L06ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3820
- Référence fabricant:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,27 €
(TVA exclue)
6,38 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 14 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,635 € | 5,27 € |
| 20 - 48 | 2,365 € | 4,73 € |
| 50 - 98 | 2,215 € | 4,43 € |
| 100 - 198 | 2,06 € | 4,12 € |
| 200 + | 1,92 € | 3,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3820
- Référence fabricant:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
Liens connexes
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L08ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P407ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P4L04ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 80 V P TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 80 V P TO-263 IPB019N08NF2SATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263