Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V, 7-Pin TO-263 IRFS3107TRL7PP
- N° de stock RS:
- 257-9418
- Référence fabricant:
- IRFS3107TRL7PP
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,09 €
(TVA exclue)
6,16 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 358 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,09 € |
| 10 - 24 | 4,85 € |
| 25 - 49 | 4,63 € |
| 50 - 99 | 4,44 € |
| 100 + | 4,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9418
- Référence fabricant:
- IRFS3107TRL7PP
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 260A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 370W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.54mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 260A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 370W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.54mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak 7-Pin package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Normal level is optimized for 10 V gate drive voltage
Industry standard surface mount power package
Higher current rating (by 23 percent) vs D2 PAK (of same die size)
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFB3307PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263