Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V TO-263

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 854,40 €

(TVA exclue)

2 244,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +2,318 €1 854,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9419
Référence fabricant:
IRFS3107TRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

230A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

370W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free

Liens connexes