Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V TO-263 IRFB3307PBF
- N° de stock RS:
- 257-5799
- Référence fabricant:
- IRFB3307PBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-5799
- Référence fabricant:
- IRFB3307PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | PCB | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type PCB | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard through-hole power package
High-current rating
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