Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9426
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-543
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,24 €
(TVA exclue)
7,55 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 680 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,248 € | 6,24 € |
| 50 - 120 | 1,124 € | 5,62 € |
| 125 - 245 | 1,064 € | 5,32 € |
| 250 - 495 | 0,924 € | 4,62 € |
| 500 + | 0,564 € | 2,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9426
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-543
- Référence fabricant:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFB3307PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263