Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 269 A, 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 055,20 €

(TVA exclue)

1 276,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,319 €1 055,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-3123
Référence fabricant:
IRFS7730TRL7PP
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

269A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

428nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.65mm

Standards/Approvals

No

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET. Integrated with D2PAK 7pin (TO-263 7pin) type package.

Lead-free, RoHS compliant

Liens connexes

Recently viewed