Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
257-9311
Référence fabricant:
IRF7470TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 40V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

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