Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9290
- Référence fabricant:
- IRF5802TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
2,34 €
(TVA exclue)
2,83 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 2 960 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,234 € | 2,34 € |
| 100 - 240 | 0,222 € | 2,22 € |
| 250 - 490 | 0,199 € | 1,99 € |
| 500 - 990 | 0,173 € | 1,73 € |
| 1000 + | 0,106 € | 1,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9290
- Référence fabricant:
- IRF5802TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V TSOP-6 IRLTS6342TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5803TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
