Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 150 V, 6-Pin TSOP-6

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

255,00 €

(TVA exclue)

309,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,085 €255,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9289
Référence fabricant:
IRF5802TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TSOP-6

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Liens connexes