Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262

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262-6773
Référence fabricant:
IRFSL7437PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

195A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-262

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Halogen free

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

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