Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5006TRPBF

N° de stock RS:: 130-0973
Référence fabricant:: IRFH5006TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH5006TRPBF

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

14,16 €

(TVA exclue)

17,135 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Dernier stock RS

10 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 20	2,832 €	14,16 €
25 - 45	2,378 €	11,89 €
50 - 120	2,208 €	11,04 €
125 - 245	2,066 €	10,33 €
250 +	1,924 €	9,62 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 130-0973
Référence fabricant:: IRFH5006TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	69nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5mm
	Length	6mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.85mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5mm
	Length 6mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.85mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.