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Vishay Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V IPAK SIHU5N50D-GE3

N° de stock RS:: 256-7417
Référence fabricant:: SIHU5N50D-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V IPAK SIHU5N50D-GE3

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N° de stock RS:: 256-7417
Référence fabricant:: SIHU5N50D-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.033Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHU5N50D-GE3

The Vishay Semiconductor N-channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) through hole TO-251AA and its applications are consumer electronicsdisplays, server and telecom power supplies, SMPS and in Industrial are welding, induction heating, motor drives and battery chargers.

Low area specific on-resistance

Reduced capacitive switching losses

High body diode ruggedness

Optimal efficiency and operation

Simple gate drive circuitry

Fast switching

Vishay Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 500 V IPAK SIHU5N50D-GE3

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