Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK

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N° de stock RS:
210-4995
Référence fabricant:
SIHU2N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

2.18mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

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