Vishay Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V TO-263 SIHB15N60E-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7411
- Référence fabricant:
- SIHB15N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Référence fabricant:
- SIHB15N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.033Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor E series power mosfet D2PAK is the most commonly used power devices due to their low gate drive power, fast switching speed and superior paralleling capability.
Low figure-of-merit Ron x Qg
Low input capacitance
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge
Avalanche energy rated
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