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Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-263 SIHB053N60E-GE3

N° de stock RS:: 225-9910
Référence fabricant:: SIHB053N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-263 SIHB053N60E-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 18	6,365 €	12,73 €
20 - 48	5,73 €	11,46 €
50 - 98	5,41 €	10,82 €
100 - 198	5,09 €	10,18 €
200 +	4,71 €	9,42 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 225-9910
Référence fabricant:: SIHB053N60E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	54mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	92nC
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	15.88mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 15.88mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHB053N60E-GE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-263 SIHB053N60E-GE3

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