Vishay P-Channel MOSFET Transistor, 5.1 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333CDS-T1-GE3

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presentation
Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
N° de stock RS
787-9222

L'unité (en paquet de 10)

0,462 €

(TVA exclue)

0,559 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:
710-3260
Référence fabricant:
SI2333CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

5.1 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Length

3.04mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 4.5 V, 9 nC @ 2.5 V

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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