Références fabricant

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

N° de stock RS:: 254-7660
Référence fabricant:: NTBG022N120M3S
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 - 800	11,742 €	9 393,60 €
1600 - 1600	11,507 €	9 205,60 €
2400 +	11,272 €	9 017,60 €

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N° de stock RS:: 254-7660
Référence fabricant:: NTBG022N120M3S
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	148nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTB
	Package Type TO-263
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 148nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTBG022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

The ON Semiconductor NTB series of planar sic mosfets is optimized for fast switching applications with a planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.

100% avalanche tested

Improved power density

Gate drive voltage 15V to 18V

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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