Références fabricant

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG080N120SC1

N° de stock RS:: 205-2450
Référence fabricant:: NTBG080N120SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG080N120SC1

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N° de stock RS:: 205-2450
Référence fabricant:: NTBG080N120SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Forward Voltage Vf	3.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.1mm
	Standards/Approvals	This Device is Pb-Free and is RoHS
	Height	4.3mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Forward Voltage Vf 3.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.1mm
	Standards/Approvals This Device is Pb-Free and is RoHS
	Height 4.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTBG080N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

The ON Semiconductor silicon carbide (SiC) N-Channel MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Low on resistance 80mohm type

High Junction temperature

Ultra low gate charge

Low effective output capacitance

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