Infineon iPB N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S4L07ATMA2

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249-6904
Référence fabricant:
IPB80N06S4L07ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

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