Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P407ATMA2

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N° de stock RS:
258-3815
Référence fabricant:
IPB80P04P407ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

Green package (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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