Références fabricant

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

N° de stock RS:: 258-3819
Référence fabricant:: IPB80P04P4L06ATMA2
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 258-3819
Référence fabricant:: IPB80P04P4L06ATMA2
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P4L06ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

Liens connexes