Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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249-6892
Référence fabricant:
IAUC60N04S6N031HATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

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