Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1

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349-401
Référence fabricant:
IPB339N20NM6ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

39A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It offers very low on resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it delivers superior switching performance. This MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing overall efficiency.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

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