Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- N° de stock RS:
- 244-2263
- Référence fabricant:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,52 €
(TVA exclue)
4,26 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 010 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,352 € | 3,52 € |
| 100 - 240 | 0,334 € | 3,34 € |
| 250 - 490 | 0,327 € | 3,27 € |
| 500 - 990 | 0,306 € | 3,06 € |
| 1000 + | 0,248 € | 2,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-2263
- Référence fabricant:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | IPN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series IPN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements.
Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss.
Very high commutation ruggedness.
Easy to use/drive.
Pb-free plating,Halogen free mold compound.
Qualified for standard grade applications.
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 500 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 500 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R3K0CEATMA1
- Infineon P-Channel MOSFET Transistor 100 V, 3-Pin SOT-223 ISP20EP10LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET Transistor 150 V, 3-Pin SOT-223 ISP14EP15LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET Transistor 100 V, 3-Pin SOT-223 ISP16DP10LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET Transistor 100 V, 3-Pin SOT-223 ISP98DP10LMXTSA1
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET Transistor 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP171PH6327XTSA1
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET Transistor & Diode 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R600P7SATMA1