Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1

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244-2263
Référence fabricant:
IPN50R2K0CEATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

IPN

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements.

Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss.

Very high commutation ruggedness.

Easy to use/drive.

Pb-free plating,Halogen free mold compound.

Qualified for standard grade applications.

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