Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 3 A, 650 V, 3-Pin SOT-223

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244-2266
Référence fabricant:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

SOT-223

Series

IPN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs.

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