Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 3 A, 650 V, 3-Pin SOT-223 IPN60R2K0PFD7SATMA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

3,60 €

(TVA exclue)

4,35 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 700 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 450,72 €3,60 €
50 - 1200,634 €3,17 €
125 - 2450,59 €2,95 €
250 - 4950,544 €2,72 €
500 +0,512 €2,56 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-2267
Référence fabricant:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

SOT-223

Series

IPN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Low switching losses Eoss,excellent thermal behavior

Fast body diode

Wide range portfolio of RDS(on) and package variations

Integrated zener diode

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.