Vishay Type N-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ150E-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 239-8681
- Référence fabricant:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,05 €
(TVA exclue)
14,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 17 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,41 € | 12,05 € |
| 50 - 120 | 2,266 € | 11,33 € |
| 125 - 245 | 2,05 € | 10,25 € |
| 250 - 495 | 1,928 € | 9,64 € |
| 500 + | 1,808 € | 9,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-8681
- Référence fabricant:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 445A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0019Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 445A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0019Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQJQ is automotive N-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
AEC-Q101 qualified
UIS tested
Liens connexes
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ112E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 30 V Type N-Channel MOSFET 30 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ128ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ184EP-T1_GE3
- Vishay SQJQ186ER Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ186ER-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
