Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

8,33 €

(TVA exclue)

10,08 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • Plus 3 990 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 184,165 €8,33 €
20 - 983,91 €7,82 €
100 - 1983,535 €7,07 €
200 - 4983,33 €6,66 €
500 +3,125 €6,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
239-8678
Référence fabricant:
SQJQ130EL-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

445A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00052Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.6mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SQJQ is automotive P-Channel MOSFET which operates at 30 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

Low resistance

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Thin package

Liens connexes