Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 189 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ570ER-T1_GE3

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N° de stock RS:
735-253
Référence fabricant:
SQJQ570ER-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

189A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK (8x8LR)

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0105Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

85nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.42mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.9mm

Width

8 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

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