Vishay Type N-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ112E-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

8,45 €

(TVA exclue)

10,224 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • Plus 1 760 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 184,225 €8,45 €
20 - 483,965 €7,93 €
50 - 983,595 €7,19 €
100 - 1983,38 €6,76 €
200 +3,175 €6,35 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
239-8676
Référence fabricant:
SQJQ112E-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

445A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00253Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is automotive Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Thin package

Liens connexes