Références fabricant

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 105 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ118ER-T1_GE3

N° de stock RS:: 735-272
Référence fabricant:: SQJQ118ER-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 105 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ118ER-T1_GE3

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N° de stock RS:: 735-272
Référence fabricant:: SQJQ118ER-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK (8x8LR)
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0098Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	122nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.9mm
	Length	10.42mm
	Width	8mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK (8x8LR)
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0098Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 122nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.9mm
	Length 10.42mm
	Width 8mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJQ118ER-T1_GE3

Pays d'origine :: CN

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