STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 532,50 €

(TVA exclue)

1 855,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,613 €1 532,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
239-6329
Référence fabricant:
STD86N3LH5
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

STD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Width

6.2 mm

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.

Low on-resistance RDSon

High avalanche ruggedness

Low gate drive power losses

30 V Vdss

80 A Id

Liens connexes