STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5

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239-6330
Référence fabricant:
STD86N3LH5
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

STD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.2 mm

Standards/Approvals

UL

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.

Low on-resistance RDSon

High avalanche ruggedness

Low gate drive power losses

30 V Vdss

80 A Id

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