STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 095,00 €

(TVA exclue)

2 535,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,838 €2 095,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
188-8285
Référence fabricant:
STD11N60DM2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

420mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.17mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2 mm

Length

6.6mm

Automotive Standard

No

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

Liens connexes