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STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2

N° de stock RS:: 188-8285
Référence fabricant:: STD11N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 188-8285
Référence fabricant:: STD11N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	420mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.5nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.2mm
	Height	2.17mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 420mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.2mm
	Height 2.17mm
	Automotive Standard No

Datasheet STD11N60DM2

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

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