Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 239-5381
- Référence fabricant:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Series | SIHK075N60E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.08Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Series SIHK075N60E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.08Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E series power MOSFET has drain current of 29 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
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