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Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3

N° de stock RS:: 239-5377
Référence fabricant:: SIHG24N80AEF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3

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20 - 48	4,555 €	9,11 €
50 - 98	4,12 €	8,24 €
100 - 198	3,875 €	7,75 €
200 +	3,635 €	7,27 €

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N° de stock RS:: 239-5377
Référence fabricant:: SIHG24N80AEF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-247AC
	Series	SIH
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.17Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	60nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-247AC
	Series SIH
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.17Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHG24N80AEF-GE3

The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3

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