Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0804NLSATMA1

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N° de stock RS:
232-6762
Référence fabricant:
ISC0804NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.9mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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