Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW65R018CFD7XKSA1
- N° de stock RS:
- 232-3049
- Référence fabricant:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 2 - 4 | 13,55 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 232-3049
- Référence fabricant:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 234nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 234nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CFD7 is super junction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. The CoolMOS CFD7 technology meets highest efficiency and reliability standards and further more supports high power density solutions.
Ultrafast body diode and very low Qrr
650V breakdown voltage
Significantly reduced switching losses compared to competition
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