Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 650 V, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 232-3048
- Référence fabricant:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 30 unités)*
320,82 €
(TVA exclue)
388,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 31 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 10,694 € | 320,82 € |
| 60 + | 10,16 € | 304,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 232-3048
- Référence fabricant:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 234nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 234nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.21mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CFD7 is super junction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. The CoolMOS CFD7 technology meets highest efficiency and reliability standards and further more supports high power density solutions.
Ultrafast body diode and very low Qrr
650V breakdown voltage
Significantly reduced switching losses compared to competition
Liens connexes
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247 IPW65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R170CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041P6FKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R018CFD7XKSA1