Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 77.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

206,70 €

(TVA exclue)

250,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 330 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 306,89 €206,70 €
60 - 1206,546 €196,38 €
150 +6,132 €183,96 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
222-4720
Référence fabricant:
IPW60R041P6FKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

77.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

481W

Standards/Approvals

No

Width

21.1 mm

Length

16.13mm

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Liens connexes