Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 77.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R041P6FKSA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

9,97 €

(TVA exclue)

12,06 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 99,97 €
10 - 249,47 €
25 - 499,07 €
50 - 998,69 €
100 +8,08 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4721
Référence fabricant:
IPW60R041P6FKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

77.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Power Dissipation Pd

481W

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.