onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L045N065SC1
- N° de stock RS:
- 229-6460
- Référence fabricant:
- NTH4L045N065SC1
- Fabricant:
- onsemi
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Forward Voltage Vf | 4.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 22.74mm | |
| Length | 15.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 187W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Forward Voltage Vf 4.4V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 22.74mm | ||
Length 15.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.
Highest efficiency
Faster operation frequency
Increased power density
Reduced EMI
Reduced system size
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