Références fabricant

onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V N, 4-Pin TO-247

N° de stock RS:: 229-6459
Référence fabricant:: NTH4L045N065SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V N, 4-Pin TO-247

Sous-total (1 tube de 450 unités)*

3 276,90 €

(TVA exclue)

3 964,95 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
450 +	7,282 €	3 276,90 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 229-6459
Référence fabricant:: NTH4L045N065SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SiC Power
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	50mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	187W
	Forward Voltage Vf	4.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.8mm
	Standards/Approvals	No
	Height	22.74mm
	Width	5.2mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SiC Power
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 187W
	Forward Voltage Vf 4.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.8mm
	Standards/Approvals No
	Height 22.74mm
	Width 5.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTH4L045N065SC1

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.

Highest efficiency

Faster operation frequency

Increased power density

Reduced EMI

Reduced system size

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