onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L060N090SC1

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229-6463
Référence fabricant:
NTH4L060N090SC1
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

46A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

SiC Power

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

84mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

87nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

221W

Forward Voltage Vf

3.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.8mm

Standards/Approvals

No

Width

5.2 mm

Height

22.74mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.

Highest efficiency

Faster operation frequency

Increased power density

Reduced EMI

Reduced system size

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