Références fabricant

onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V N, 7-Pin TO-263

N° de stock RS:: 229-6443
Référence fabricant:: NTBG045N065SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V N, 7-Pin TO-263

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

5 414,40 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 +	6,768 €	5 414,40 €

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N° de stock RS:: 229-6443
Référence fabricant:: NTBG045N065SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SiC Power
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	50mΩ
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Maximum Power Dissipation Pd	242W
	Forward Voltage Vf	4.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.4mm
	Length	10.2mm
	Width	4.7 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SiC Power
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Maximum Power Dissipation Pd 242W
	Forward Voltage Vf 4.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.4mm
	Length 10.2mm
	Width 4.7 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTBG045N065SC1

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.

Highest efficiency

Faster operation frequency

Increased power density

Reduced EMI

Reduced system size

onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V N, 7-Pin TO-263

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