onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V N, 7-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 229-6443
- Référence fabricant:
- NTBG045N065SC1
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
| 800 + | 6,768 € | 5 414,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-6443
- Référence fabricant:
- NTBG045N065SC1
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SiC Power | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 242W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SiC Power | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 242W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.
Highest efficiency
Faster operation frequency
Increased power density
Reduced EMI
Reduced system size
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