onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 203 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G

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229-6446
Référence fabricant:
NTBGS004N10G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

203A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiC Power

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

178nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

9.4mm

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor power MOSFET has rugged technology for utmost reliability. It is specifically designed for wide SOA applications from a 48V bus.

Hot swap tolerant with superior SOA curve

ROHS compliant

Reduces conduction loss

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