onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 203 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 229-6445
- Référence fabricant:
- NTBGS004N10G
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
2 733,60 €
(TVA exclue)
3 308,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,417 € | 2 733,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 229-6445
- Référence fabricant:
- NTBGS004N10G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 203A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiC Power | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7mm | |
| Height | 9.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 203A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiC Power | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7mm | ||
Height 9.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor power MOSFET has rugged technology for utmost reliability. It is specifically designed for wide SOA applications from a 48V bus.
Hot swap tolerant with superior SOA curve
ROHS compliant
Reduces conduction loss
Liens connexes
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS004N10G
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG045N065SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1
- onsemi Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG020N120SC1
- onsemi NTBGS2D Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7
- onsemi NTBGS2D Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7 NTBGS2D5N06C