onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 203 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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N° de stock RS:
229-6445
Référence fabricant:
NTBGS004N10G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

203A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

SiC Power

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

178nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

9.4mm

Length

10.2mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor power MOSFET has rugged technology for utmost reliability. It is specifically designed for wide SOA applications from a 48V bus.

Hot swap tolerant with superior SOA curve

ROHS compliant

Reduces conduction loss

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