Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 0.52 A, 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

885,00 €

(TVA exclue)

1 071,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,295 €885,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
180-7265
Référence fabricant:
SI1411DH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SOT-363

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Forward Voltage Vf

-1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

2.4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.

Small, thermally enhanced SC-70 package

Ultra low on-resistance

Pb-free

Halogen free

Liens connexes