Références fabricant

Vishay SUP60020E Type N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 188-4929
Référence fabricant:: SUP60020E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SUP60020E Type N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

59,40 €

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50 +	1,188 €	59,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 188-4929
Référence fabricant:: SUP60020E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SUP60020E
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	151.2nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.51mm
	Height	9.01mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SUP60020E
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151.2nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.51mm
	Height 9.01mm
	Automotive Standard No

Datasheet SUP60020E-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Maximum 175 °C junction temperature

Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau

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