Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 24.7 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS890ADN-T1-GE3

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N° de stock RS:
228-2927
Référence fabricant:
SiS890ADN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

24.7 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0255 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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